NAND FLASH的结构和特性
通过NAND FLASH的结构原理图，可见每个Bit Line下的基本存储单元是串联的，NAND读取数据的单位是Page，当需要读取某个Page时，FLASH 控制器就不在这个Page的Word Line施加电压，而对其他所有Page的Word Line施加电压（电压值不能改变Floating Gate中电荷数量），让这些Page的所有基本存储单元的D和S导通，而我们要读取的Page的基本存储单元的D和S的导通/关断状态则取决于Floating Gate是否有电荷，有电荷时，Bit Line读出‘0’，无电荷Bit Line读出‘1’，实现了Page数据的读出，可见NAND无法实现位读取（即Random Access），程序代码也就无法在NAND上运行。
存档机介绍
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DRAM市场发展史
效果是显著的。DRAM价格一路飞流直下，08年中跌破了现金成本，08年底更是跌破了材料成本。2009年初，第三名德系厂商奇梦达首先撑不住，宣布破产，欧洲大陆的内存玩家就此消失。2012年初，数转胶存档机，第五名尔必达宣布破产，曾经占据DRAM市场50%以上份额的日本，也输掉了一张牌。在尔必达宣布破产当晚，京畿道的三星总部彻夜通明，次日股价大涨，全世界都知道韩国人这次又赢了。
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