玻璃光刻制作——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。
现在,SiC半导体材料正在大举进入功率半导体领域。一些的半导体器件厂商,如ROHM,英飞凌,Cree,飞兆等都在开发自己的SiC功率器件。SiC的市场颇为被看好,玻璃光刻制作厂商,根据预测,到2022年,其市场规模将达到40亿美元,年平均复合增长率可达到45%。
说完了SiC,再来说说GaN。在上世纪90年代以前,因为缺乏合适的单晶沉底材料,天津玻璃光刻制作,而且位错密度比较大,其发展缓慢,但进入90年代以后,其发展迅速,年均增长率达30%,已经成为大功率LED的关键性材料。
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在半导体工艺里,沉积是指在原子或分子水平上,将材料沉积在晶圆表面作为一个薄层的过程。沉积工艺就像是喷涂刷,玻璃光刻制作委托加工,将涂料均匀的薄薄喷洒在晶圆表面上。
根据实现方法的不同,沉积主要分为物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积(CVD)。
PVD是利用物理方法,将材料源气化成气态原子、分子,或电离成离子,并通过低压气体,在基体表现沉积成薄膜的过程。一般用来沉积金属薄膜。
CVD是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物,在衬底表面进行化学反应形成薄膜的方法。一般用于沉积半导体或绝缘体,玻璃光刻制作定制,以及金属合金等。
为了增强化学反应,CVD也可以与其他方法相结合。如PECVD(等离子增强CVD,就是利用等离子体来化学反应,改善CVD的方法。
根据不同目标和需求,PVD和CVD在实际工艺流程中也可以自由选择。
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经过了光刻步骤之后,所需要的图案已经被印在了晶圆表面的光刻胶上。但要实现半导体器件的制作,还需要把半导体器件按照光刻胶的图形出来。这个的过程就叫刻蚀(Etching)。
半导体刻蚀方法分为两类,分别是湿法刻蚀和干法刻蚀。
湿法刻蚀湿法刻蚀是将晶圆片浸入到含有特定化学剂的液体溶液中,利用化学反应来溶解掉未被光刻胶保护的半导体结构。由于液体化学品不能很好的控制方向性,所以可能会导致刻蚀不均匀,造成刻蚀的不足或过度;另外,由于液体化学品会残留在晶圆上,所以需要额外的清洗步骤来去除污染物。
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