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其中CCP属于中密度等离子体，ICP则属于高密度等离子体。CCP技术的发明早于ICP，但由于其特点的不同，两类技术并非相互取代，而是相互补充的关系。CCP的等离子密度虽然较低，氮化镓材料刻蚀价格，但能量较高，适合刻蚀氧化物、氮氧化物等较硬的介质材料；ICP的等离子密度高，能量低，可以独立控制离子密度和能量，有更灵活的调控手段，适合刻蚀单晶硅、多晶硅等硬度不高或较薄的材料。
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Si3N4刻蚀：
在903E刻蚀机中刻蚀，刻蚀机内通入的气体有：CF4、NF3、He。
刻蚀机理是： CF4电离→CF3+F*（氟自由基）
CF3电离→CF2+F*
CF2电离→CF1+F*
12F*+ Si3N4→3Si F4↑+2 N2↑
氟游离基的作用是使氮化硅被腐蚀，生成物是气体，被真空装置抽气抽走。为了加快腐蚀速率可以在CF4中加入少量氧气（5%-8%），因为氧能够抑制F*在反应腔壁的损失，并且：CF4+O2→F* +O*+COF*+COF2+CO+…… （电离）
COF*寿命较长，当它运动到硅片表面时发生以下反应从而加速了腐蚀速率：
COF*→F* CO （电离）
但是氧气加多了要腐蚀光刻胶降低选择比。
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磷酸约占80%，主要起腐蚀铝的作用，Si材料刻蚀价格，占1%-5%，其与铝反应生成溶于水的盐，可以提高腐蚀速率，但含量过多会影响光刻胶抗蚀刻能力，醋酸占10%左右，它能降低腐蚀液的表面张力，增加硅片与腐蚀液的浸润效果，提高腐蚀均匀性，同时具有缓冲作用，纯水占5%左右。
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