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去磷硅玻璃

　　该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中，通过化学腐蚀法也即把硅片放在溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六，以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。在扩散过程中，POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子，这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成，主要动力源有、氮气、压缩空气、纯水，热排风和废水。能够溶解二氧化硅是因为与二氧化硅反应生成易挥发的气体。若过量，反应生成的会进一步与反应生成可溶性的络和物六。

刻蚀

在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。

干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，吴江太阳能组件收购，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。

电路板怎么清洗，电路板清洗方法　

1、清洗前先同时用干净软油漆刷（1英寸宽的刷较好用）和压力约0.1Mpa［即1kg/每平方厘米］干燥的压缩空气清除电路板上的积尘。

2、清洗可用洗电路板的清洗液（俗称洗板水），此液可到专门店去买。如没有洗板水，三门峡组件收购，可按如下操作：（现在我们一般都不用洗板水了）先用自来水冲洗，吴江光伏组件收购价格，注意水流要柔，不能过猛，边冲边用软刷子仔细轻刷，电路板的两面均如是。

3、然后用软刷子沾上中性肥皂来仔细轻轻地清洗电路板的每一个地方，特别是跳线插槽，插槽（CPU插槽，AGP槽，PCI槽，内存槽）的内侧和底部，IC插座的底部，南北桥芯片，BIOS芯片和其他每一个IC芯片的底下，大电容的底下等地方更应仔细清洗，操作时应注意不要直立安装的小电容等元件碰歪；如果发现洗出的肥皂沫很脏，则须用清水冲洗后，再用肥皂在刷洗一遍，直到所洗出的肥皂沫为白色的为止。