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原子层沉积(ALD)是一种沉积原子级薄膜的技术,它是以一种连续脉冲的方式在样品表面和反应前驱体材料之间发生化学反应。与传统的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术相比,沉积速率相对较慢,但是它可在高深宽比的沟槽和通孔结构上沉积均匀薄膜。另外,在原子层沉积过程中,硅胶导管镀膜,样品表面上没有物理和电学损伤,而在PECVD过程中由于离子轰击这种损伤却不可避免。此外,通过使用不同的反应材料可沉积各种薄膜(氧化物,氟化物,氮化物,金属等)。

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