材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺,同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂,特别是氧、碳含量的分布及其行为,在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料,使均匀性得到很大改善;对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术,改善了均匀性。在结构完整性方面,单晶硅粉多少钱一吨,直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺,工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。
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