





侦测到亮点之情况;
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面 反型层;5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情 况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及 抛光处理。
EMMI侦测的到亮点、热点(Hot Spot)情况;原来就会有的亮点、热点(Hot Spot)饱和区操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)动态式CMOS (Dynamic CMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(Buried Juncti)金属线底下的漏电区(Leakage Sites Under Metal)

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