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这对器件几乎没有任何影响，因此可以用纯金、纯银作为溶剂，分别在400℃ ，845℃左右进行低温外延生长.不过太高的溶解度会引起淀积速率不易控制和熔体内自发成核等问题 [1]  .硅LPE系统：LPE技术发展到现在，其广泛采用的系统是改进的浸渍系统和滑动舟系统，近期报道一种新颖的旋转坩埚系统(离心系统)也值得注意 [1]  .苏州科鲁斯特测控科技有限公司苏州科鲁斯特测控科技有限公司




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