侦测到亮点之情况；
会产生亮点的缺陷：1.漏电结；2.解除毛刺；3.热电子效应；4闩锁效应； 5氧化层漏电；6多晶硅须；7衬底损失；8.物理损伤等。 侦测不到亮点之情况 不会出现亮点之故障：1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形（埋入式的接面及 大面积金属线底下的漏电位置）；2.欧姆接触；3.金属互联短路；4.表面 反型层；5.硅导电通路等。
点被遮蔽之情况：埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置，等离子开封机价格，这种情 况可采用Backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及 抛光处理。
EMMI微光显微镜
微光显微镜（Emission Microscope， EMMI）是常用漏电流路径分析手段。对于故障分析而言，微光显微镜（Emission Microscope，等离子芯片开封机， EMMI）是一种相当有用且效率极高的分析工具。主要侦测IC内部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination会放出光子（Photon）。如在P-N结加偏压，此时N阱的电子很容易扩散到P阱，而P的空穴也容易扩散至N，然后与P端的空穴（或N端的电子）做EHP Recombination。在故障点定位、寻找近红外波段发光点等方面，微光显微镜可分析P-N接面漏电；P-N接面崩溃；饱和区晶体管的热电子；氧化层漏电生的光子激发；Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题.
芯片失效分析步骤:
1、非破坏性分析：主要是超声波扫描显微镜（C-SAM）--看有没delamination，xray--看内部结构，等等；
2、电测：主要工具，万用表，等离子开封机，示波器， tek370a
3、破坏性分析：机械decap，化学 decap芯片开封机
4、半导体器件芯片失效分析 芯片內部分析，孔洞气泡失效分析。
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