二手1200怎么用-科鲁斯特测控科技

实现晶体的外延生长。这种技术可以生长Si、GaAs、GaAlAs、GaP等半导体材料以及石榴石等磁性材料的单晶层，用以做成各种光电子器件、微波器件、磁泡器件和半导体激光器等 [1]  。液相外延由尼尔松于1963年发明，宁夏回族自治二手1200，成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法，被广泛的用于电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延，反之称为异质外延。液相外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种。

控温范围：

  G1316A 室温下 10℃~80℃，宏命令可控制 90℃

  G1316B 室温下 10℃~100℃

控温速率：室温加热 40℃，5min；40℃降温 20℃，10min

控温精度：±0.15℃

控温准确度：±0.5℃

柱容量：30cm×3

内体积：左控温模块 3μL，右控温模块 6μL；

阀切换功能：

  G1316A 标准型/微型 2ps/6pt 阀或标准型 2ps/10pt 阀

  G1316B 标准型/微型 2ps/6pt 阀或微型 2ps/10pt

功能扩展（用于快速液相色谱，G1316B）：

  附加低扩散热交换器，二手1200价格，并具有柱后降温功能，保证快速检测时基线平稳。

GLP 性能：柱识别器记录色谱柱的使用次数及使用方法

四元泵（G1354A）

通过高速比例阀控制形成低压四元梯度混合，标准配置在线真空脱气机。

流速范围：0.001~10mL/min， 0.001mL/min 步进

压力范围：0~40 Mpa（0~400bar，0~5880psi），<5mL/min；

0~20 Mpa（0~200bar，0~2950psi），0~10mL/min

梯度组成精度：<0.20% SD（0.2 及 1mL/min）

梯度组成比例范围：0~95% 或 5~100%

梯度延迟体积：800~1100μL（与反压相关）

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