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NOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率不错，它是属于芯片内执行（XIP， eXecute In Place），这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中，缺点是受到读写和擦除速度慢的性能制约。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，内存储器，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。
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电擦可编程只读存储器（EEPROM或E2PROM）
EEPROM用电气方法将芯片中存储内容擦除，擦除速度较快，甚至在联机状态下也可以操作。相对来说，EPROM用紫外线擦除内容的操作就更复杂，210度内存储器价格，速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用块擦除方式，使用字擦除方式可擦除一个存储单元，使用块擦除方式可擦除数据块中所有存储单元。
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相比于 NOR Flash，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低。 目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash。PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。
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