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一般运用于中、低頻电源电路中。常见的型号规格有CL11、CL21等系列产品。聚电容器(CB)构造：有箔式和金属化式二种种类。主要用途：一般运用于中、高频电路中。常见的型号规格有CB10、CB11(非密封箔式)、CB14~16(精密型)、CB24、CB25(非密封型金属化)、CB80(髙压型)、CB40(密封型金属化)等系列产品。聚电容器(CBB)构造：用无旋光性聚塑料薄膜为物质做成的一种负温度系数无旋光性电容器。有非密封式(常见有色板块树脂漆封裝)和密封式(用金属材料或塑胶机壳封裝)二种种类。主要用途：一般运用于中、低頻电子线路或做为电机的启动电容。常见的箔式聚电容器：CBB10、CBB11、CBB60、CBB61等;金属化式聚电容器：CBB20、CBB21、CBB401等系列产品。独石电容器构造：独石电容器是用钛酸钡为主导的结构陶瓷煅烧做成的多堆叠块状袖珍型电容器。 
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并不是一个自开启电源电路、一个光电耦合器开启电源电路就能处理好的难题。如今销售市场上可控硅开关、动态补偿开关等全是走的简单化电源电路，追求的是成本低，关键投切30kvar尺寸的电容器。这类投切开关，对电容器的使用寿命依然危害比较严重，电容器的摘除过电压达到2000V，可控硅开关品质不容易开朗，设备故障率很高。计划方案可控硅投切电容器，涉及到电力电子技术的高精密过零技术性，投切全过程中还需要浪涌电压、过电压的难题。高精密过零、动态性充放电、暂态维护这三个技术性困难不太好，设备故障率仍会持续上升。处理好这三个难题，电容器会遭受非常好的维护，比别的投切方法会增加一倍的使用寿命。处理不太好这三个难点，快速熔断器就撤销不上，公司客户经常拆换快速熔断器，花费是承受不住的。 
