随着半导体芯片工艺技术节点进入 28 纳米、14 纳米等更等级，工艺流程的延长且越趋复杂，产线成品率也会随之下降。造成这种现象的一个原因就是制程对杂质的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困难。解决的方法主要是增加清洗步骤。每个晶片在整个制造过程中需要甚至超过 200 道清洗步骤，太阳能光伏硅片清洗设备，晶圆清洗变得更加复杂、重要及富有挑战性。
为什么零部件需要去除油污:减少部件表面上的离子杂质。满足容器排气（outgassing)性能的测试 (由第三方实验室检测).此测试检测出了在真空下嵌入金属表面的有机材料的数量和成分。如果测试中的数量太大，太阳能光伏硅片清洗设备企业，则意味着终的加工设备很难将容器真空至全真空状态。815 GD 在这些测试中都有的表现， 主要表现为的清洁能力以及测试中未发现清洗剂的残留。
干法清洗主要是采用气态的刻蚀不规则分布的有结构的晶圆二氧化硅层，虽然具有对不同薄膜有高选择比的优点，太阳能光伏硅片清洗设备价格，但可清洗污染物比较单一，太阳能光伏硅片清洗设备供应商，目前在 28nm 及以下技术节点的逻辑产品和存储产品有应用。晶圆制造产线上通常以湿法清洗为主，少量特定步骤采用湿法和干法清洗相结合的方式互补所短，在短期内湿法工艺和干法工艺无相互替代的趋势，目前湿法清洗是主流的清洗技术路线，占比达芯片制造清洗步骤数量的 90%。
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