经过多年的发展，中国ＬＥＤ产业链日趋完善。但赛迪顾问半导体产业研究中心分析师王莹日前向记者表示，纵观ＬＥＤ产业链条，由于上游产业对技术和资金的要求较高，导致国内企业涉足，因此上游产业存在企业数量少、规模小的特点。相比之下，下游封装和应用对企业提出的资金和技术要求相对较低，恰好与国内企业资金少、技术弱的特点相匹配，因此，国内从事封装和应用的企业数量较多。这种局面导致国内ＬＥＤ产业多以低端产品为主，企业长期面临严峻的价格压力。
据记者了解，目前，随着国家半导体照明工程的启动，ＬＥＤ产业发展“一头沉”的状态正在发生改变，ＬＥＤ上游产业得到了较快发展，其中芯片产业发展为引人注目。但从产业规模看，led外延片价格，封装仍是ＬＥＤ产业中产业链环节。２００６年我国ＬＥＤ产业总产值达到１０５．５亿元，其中封装产业产值达８７．５亿元。王莹分析认为，不断扩大的市场需求以及的大力支持是保证ＬＥＤ产业发展的有利因素。近几年，诸如显示屏、景观照明、交通指示灯、汽车应用、背光源等ＬＥＤ应用市场迅速兴起。新兴应用市场对ＬＥＤ发光效率要求的不断提升催生了对中产品的需求。随着市场需求的增大，ＬＥＤ芯片产业产品升级步伐逐渐加快，ＬＥＤ芯片产品将整体走向。另一方面，led外延片报价，ＬＥＤ封装产业的快速发展，也为ＬＥＤ芯片提供了广阔的市场需求，进而为ＬＥＤ产业的发展提供了良好的外部环境。
什么是LED芯片呢？它有什么特点呢？
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，led外延片，4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
我国LED芯片发展历程
2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明，标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动，在国家政策和资金的倾斜支持下，2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的公告及路线图，明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期，同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段，led外延片厂家，芯片主要依赖进口。近年来，在国家政策支持下，我国LED芯片厂商加大研发投入，国内LED芯片行业发展迅速，产能逐渐向中国大陆转移，2017年国内LED芯片供过于求苗头初现，主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
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