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LED芯片结构设计主要是考虑如何提高外量i子效率，即芯片的光萃取效率，led模组批发，提高芯片散热性能以及在降低成本上进行采用新结构新工艺。芯片有很多种新结构，uv led模组价格，例如六面体发光芯片、DA芯片结构等。

据机构测算，到2017年年底，LED芯片有效产能约8328万片，需求约9235万片。业内人士认为，LED芯片产能仍低于需求。考虑到2017年需求稳定增长，LED芯片将处于供不应求的状态。而随着LED芯片供不应求，相应地LED外延片也将“水涨船高”。

由于经济的化，LED产业的发展也在逐步形成国际分工，国际LED产业链企业数量分布梯度明显，产业链上游的外延生长技术是半导体照明产业技术含量蕞高、对蕞终产品品质、成本控制影响蕞大的环节。

LED产业的技术之一是外延生长技术，其是在MOCVD设备（俗称外延炉）中生长出一层厚度仅有几微米的化合物半导体外延层。MOCVD设备是LED产业生产过程中蕞重要的设备，其价值占整个产业链（外延片—芯片—封装和应用）的70%。

在现阶段白光LED首要经过三种方法完成：

1、选用蓝光LED芯片和荧光粉，由蓝光和黄光两色互补得到白光或用蓝光LED芯片合作赤色和绿色荧光粉，由芯片宣布的蓝光、荧光粉宣布的红光和绿光三色混合取得白光;

2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色荧光粉得到白光。

3、选用红、绿、蓝三色LED组合发光即多芯片白光LED;

当前使用广泛的是第二种方法，选用蓝光LED芯片和荧光粉，led模组价格，互补得到白光。因而，此种芯片进步LED的流明功率，决议于蓝光芯片的初始光通量及光保持率。

分子束外延法属于物理气相沉积PVD里的真空蒸发法的一种，广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。

芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer，无锡led模组，前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积，也就是真空镀膜，分子束外延就是薄膜沉积的一种方法，在裸硅片（或者其他衬底）上利用分子束外延法镀上多层薄膜，形成该芯片所需要的结构，用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片，外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节，再经过打线、Bonder、FCB、BGA植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。