




分子束外延法属于物理气相沉积PVD里的真空蒸发法的一种,广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。
芯片制造全部工艺的成品叫做晶圆wafer,前道工艺流程中的一个环节是薄膜沉积,也就是真空镀膜,分子束外延就是薄膜沉积的一种方法,在裸硅片(或者其他衬底)上利用分子束外延法镀上多层薄膜,LED外延片价格,形成该芯片所需要的结构,用分子束外延法制作出来的已经完成镀膜的半成品就是外延片,外延片再经过光刻、刻蚀、清洗、离子注入等工艺环节,LED外延片,再经过打线、Bonder、FCB、BGA植球、检测等后道工艺形成的成品就是晶圆wafer。
LED芯片组成及发光
LED芯片组成及发光
LED晶片的组成:主要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的若干种组成。
LED晶片的分类:
1、按发光亮度分:
A、一般亮度:R、H、G、Y、E等
B、高亮度:VG、VY、SR等
C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D、不可见光(红外线):R、SIR、VIR、HIR
E、红外线接收管:PT
F、光电管:PD
2、按组成元素分:
A、二元晶片(磷、家):H、G等
B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等
C、四元晶片(磷、铝、家、铟):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
电极加工也是制作LED芯片的关键工序,包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对衬底进行划片、测试和分选,就可以得到所需的LED芯片。
如果晶片清洗不够干净,LED外延片供应商,蒸镀系统不正常,会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落,金属层外观变色,LED外延片生产厂家,金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片,因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等,若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中,各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等,因此会有晶粒电极刮伤情形发生。
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