电镀工艺一个典型的缺点在焊料的厚度控制方面。对于使用挂架电镀（rack plating），有色金属轧机，厚度的一致性可控制在±10%的范围内，对于(fountainplating)，厚度范围可控制在±5%。要达到的镀层厚度非常困难，这会造成整个镀层的合金组分的变化，从而影响后续Die bond工艺。为了减少这个问题带来的影响，通常有意增加锡的含量，因为合金中锡的含量变化带来的熔点变化远小于金的影响。电镀工艺另一个难点就是在不断的换槽的过程中，可能出现的锡层的氧化。
型号：JH-RZ-300
名称：热扎（压）机
用途：主要适用于预成型焊片的扎制加工及锂离子电池电芯的热压定型
特点：该机采用耐高温材料做轧辊
，轧机，油缸加斜块控制厚度。轧制带材平整光滑，厚度
适用范围：预成型焊片，锂离子电池电芯
Sn-Bi系无铅焊料的发展低温焊料具有20多年的应用历史，其主要特点是能够在183℃以下进行焊接，因此对元件的适应性强，节约能耗、降低污染排放。目前的低温焊料主要有Sn-Bi系和Sn-In系两种，由于In是一种稀缺昂贵金属，使得 Sn-In焊料应用受限，因此二元合金Sn-Bi(尤其SnBi58)常被使用在低温焊接需求的场合。有文献显示，Sn-Bi系焊料在较宽的温度范围内与 Sn-Pb有相同的弹性模量，并且Bi的很多物理化学特性与Pb相似，Bi的使用可以降低熔点、减少表面张力，Bi的加入降低了Sn与Cu的反应速度，所以有较好的润湿性；此外Sn-Bi系焊料含有较低的Sn含量，从而降低了高锡风险(如锡须)。但Bi也带来其他的问题，包括其成分对合金机械特性的影响变化较大，容易产生低熔点问题(偏锡后会形成低熔点共晶)，界面层不稳定导致可靠性较差，特别是Sn-Bi焊料在偏离共晶成分时由于熔程较大，在凝固过程中 易出现枝晶偏析和组织粗大化，加之应力不平衡导致易剥离危害，以及自然供应不多、储量有限等，这使得Sn-Bi系焊料的研究和使用一直低靡。
钎焊料轧机，锡金焊料轧机，锡银铜焊料轧机
型号：JH-RZ-260
名称：预成型焊片陶瓷辊热扎机
用途：主要适用于预成型焊片的扎制加工及锂离子电池电芯的热压定型
特点：该机采用陶瓷材料做轧辊 ，油缸加斜块控制厚度。轧制带材平整光滑，解决了普通辊的粘辊问题。
适用范围：预成型焊片，锂离子电池电芯
适应材料宽度：20 mm ～80 mm
轧制来料厚度：≤6mm
轧制厚度：0.05mm
厚度控制：大量程千分表
轧制温度：≤300℃
芯片级封装技术
在BGA(球栅阵列)技术开始推广的同时，另外一种从BGA发展来的CSP封装技术正在逐渐展现它的生力军本色，金士顿、勤茂科技等内存制造商已经推出采用CSP封装技术的内存产品。CSP(Chip Scale Package)即芯片尺寸封装，作为新一代封装技术，它在TSOP、BGA的基础上性能又有了革命性的提升。CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1：1.14，已经相当接近1：1的理想情况，可逆高温轧机，尺寸也仅有32平方毫米，约为普通BGA的1/3，仅仅相当于TSOP面积的1/6。这样在相同封装尺寸内可有更多I/O，使组装密度进一步提高，可以说CSP是缩小了的BGA。 CSP封装芯片不但体积小，同时也更薄，其金属基板到散热体的有效散热路径仅有0.2mm，大大提高了芯片在长时间运行后的可靠性，其线路阻抗较小，芯片速度也随之得到大幅提高，CSP封装的电气性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相当大的提高。在相同芯片面积下CSP所能达到的引脚数明显也要比后两者多得多(TSOP最多304根，新型可逆高温轧机，BGA以600根为限，CSP原则上可以制造1，000根)，这样它可支持I/O端口的数目就增加了很多。此外，CSP封装芯片的中心引脚形式有效缩短了信号的传导距离，衰减随之减少，使芯片的抗干扰、抗噪性能得到大幅提升，这也使CSP的存取时间比BGA改善15%~20%。在CSP封装方式中，芯片通过一个个锡球焊接在PCB板上，由于焊点和PCB板的接触面积较大，所以芯片在运行中所产生的热量可以很容易地传导到PCB板上并散发出去；而传统的TSOP封装方式中，芯片是通过芯片引脚焊在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，芯片向PCB板传热就要相对困难一些。CSP封装可以从背面散热，且热效率良好，CSP的热阻为35℃/W，而TSOP热阻40℃/W。测试结果显示，运用CSP封装的芯片可使传导到PCB板上的热量高达88.4%，而TSOP芯片中传导到PCB板上的热能为71.3%。另外由于CSP芯片结构紧凑，电路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的电功率消耗，致使芯片耗电量和工作温度相对降低。目前CSP已经开始应用于超高密度和超小型化的消费类电子产品领域，如内存条、移动电话、便携式电脑、PDA、超小型录像机、数码相机等产品
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