公司成立于2013年7月，中低压mos万芯半导体，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，中低压mos公司，为您量身定制适合的芯片方案。
mos管失效的六个原因：
1、电压失效是大家常说漏源间的BVdss电压超出了mosfet的额定电压，而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。
2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效，其中又分为Id超出器件规格而导致的失效以及其Id过大，耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。
3、在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中，因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。
4、在并联的应用过程中，栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。
5、在干燥的环境中，因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。
6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰，导致栅极电压无效。
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MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。
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MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
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