微弧氧化技术要求-微弧氧化技术-日照微弧(查看)

微弧氧化技术的发展

微弧氧化技术是北京师范大学核科学与技术学院（低能核物理研究所）（北京市辐射中心）1992年起开发的科研课题，先后得到国家教委、国家九五863高技术研究发展计划、国家自然科学基jin的大力支持。1997-1998年完成国家“863”计划项目“等离子体微弧氧化表面改性技术”，1997年12月“铝合金微弧氧化技术”通过国家教委和863组的联合鉴定。2002年微弧氧化设备获得国家重点新产品证书，2004年微弧氧化双极性大功率脉冲电源获得发明。

微弧氧化膜层生长发育时，先在基体表面产生放热反应，微弧氧化技术，转化成一层阳极处理膜。当扩大反映电压时，膜层厚度会进一步增加，再次增加电压，厚度会随着增加。可是当反映电压增加到一定水平时，膜层会因为不可以承担该工作电压产生充放电且热击穿，造成低温等离子充放电。反映的高溫将使膜层产生熔化，基体原素因为处于富氧自然环境中，将产生化合物。另外因为是在锂电池电解液中，熔化物将一瞬间冷凝器，等离子微弧氧化技术，在基体表面转化成一层瓷器。陶瓷膜的转化成，将造成工作电压进一步上升，膜层再度被热击穿，膜层厚度进一步增加。循环反复，膜层足以生长发育。

微弧氧化封孔处理

由于微弧氧化陶瓷层表面分布着大量的微孔放电通道，腐蚀介质能通过孔隙浸入镁合金基体产生腐蚀，在微弧氧化后对镁合金表面进行封孔处理，在孔隙的吸附作用下，微弧氧化技术优点，封孔剂循着这些微孔或裂纹进入并填充，降低氧化膜的孔隙率，使外层疏松层逐渐变得致密，膜层与基体结合良好，复合膜层具有更加致密和均匀的微结构，微弧氧化技术要求，腐蚀电位正移，腐蚀电流密度降低，腐蚀电阻增大，进一步提升了MAO陶瓷层的耐蚀耐磨能力，同时可以增加膜层的色泽，改善膜层的美观性，或为其他膜层和结构材料的制备提供优良的衬底。