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175度测井存储器
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Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，210度进口只读存储器价格，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。

测井200度存储器
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FLASH存储器就如同其名字一样，写入前删除数据进行初始化。具体说就是从所有浮动栅中导出电子。即将有所数据归“1”。写入时只有数据为0时才进行写入，数据为1时则什么也不做。写入0时，向栅电极和漏极施加高电压，增加在源极和漏极之间传导的电子能量。这样一来，电子就会突破氧化膜绝缘体，进入浮动栅。

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EEPROM主要用于存储关键性的数据，如传感器的标定数据、用户配置参数等。由于其可编程性和灵活性，EEPROM在需要频繁更新数据的嵌入式系统中得到广泛应用。

Flash存储器则更适用于存储大容量的数据记录，如文件、图片、字库等。此外，Flash存储器还常用于存储经常读但很少写的数据，如操作系统代码、应用程序等。

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