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Flash 储存器的标准物理结构，可编程存储器，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，210度可编程存储器价格，来保存数据的完整性。
200度测井存储器
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Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”（Block）。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅优于传统EEPROM芯片。
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不可重写只读存储器，也可分为两类，包括掩模只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。
1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产商利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。
MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。
PROM的缺点是用户只能写入一次数据，写入后就不能再修改。
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