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磁性随机存储器(MRAM)
从原理上讲，MRAM的设计是非常诱人的，它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力。理论上来说，200度可擦除存储器价格，铁磁体是长久不会失效的，因此它的写入次数也是没有限制的。
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光擦可编程只读存储器（EPROM）
光擦可编程只读存储器（EPROM）的特点是内容可以用特殊的方式擦除和重写。EPROM出厂时，其存储内容为全「1」，150度可擦除存储器价格，用户可根据需要将部分内容改写为「0」，需要修改存储内容时，可将原存储内容擦除（恢复为全「1」），以便写入新的内容。
EPROM一般是将芯片用紫外线照射15～20分钟左右，以擦除其中的内容，然后用的EPROM写入器将信息重新写入，一旦写入则相对固定。在闪速存储器大量应用之前，EPROM常用于软件开发过程中。
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Flash 储存器芯片中单元格里的电子可以被带有更高电压的电子区还原为正常的1。Flash 储存器采用内部闭合电路，这样不仅使电子区能够作用于整个芯片，还可以预先设定“区块”（Block）。在设定区块的同时就将芯片中的目标区域擦除干净，以备重新写入。传统的EEPROM芯片每次只能擦除一个字节，而Flash 储存器每次可擦写一块或整个芯片。Flash 储存器的工作速度大幅优于传统EEPROM芯片。
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