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磁性随机存储器(MRAM)
从原理上讲，可擦除存储器，MRAM的设计是非常诱人的，它通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力。理论上来说，铁磁体是长久不会失效的，因此它的写入次数也是没有限制的。
175度测井存储器
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Flash 储存器的标准物理结构，称之为基本位（cell）；一般MOS闸极（Gate）和通道的间隔为氧化层之绝缘（gate oxide），而Flash 储存器的特色是在控制闸（Control gate）与通道间多了一层称为“浮闸”（floating gate）的物质。拜这层浮闸之赐，使得Flash 储存器可快速完成读、写、抹除等三种基本操作模式；就算在不提供电源给内存的环境下，也能透过此浮闸，来保存数据的完整性。
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场上的FLASH存储器产品包括两类：1. 未预留缓冲空间的；2. 预留有缓冲空间的。
一种情况下，由于没有预留空间，FLASH存储器在读写时交换块的损耗相当大，200度可擦除存储器介绍，于是就会出现容量越来越小的情况。
对于第二种情况，厂商在设计时已经预留部分物理块，比如选择1024个物理块中的1000个作为数据存储使用，其余24个物理块（包括坏块）用作缓冲交换块部分。每次上电后，存储单元的逻辑地址和物理地址需要重新对照，150度可擦除存储器介绍，交换块并不是固定的某一区块，因而每一个物理块进行读写操作的几率几乎相同，不会出现哪一个物理块过早被损坏的现象。对于预留缓冲空间的FLASH存储器来说，基本不会出现容量越来越小的情况。
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