210度eeprom存储器
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随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM: 早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，从几KB到几百KB不等。（有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。 如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了，算是已经发展到很厉害的水平了。
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Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，200度随机存储器介绍，改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，即可以根据地址随机读写，150度随机存储器价格，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。因为其读取速度快，多用来存储程序、操作系统等重要信息。
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Flash ROM可以用软件在PC中改写或在线写入信息，一旦写入则相对固定。因此，在PC中可用于存储主板的BIOS程序。由于支持改写，就便于用户自行升级BIOS，但这也给病毒创造了良好环境，的CIH病毒正是利用这个特点来破坏BIOS，从而导致整个系统瘫痪的。另外，由于单片存储容量大，易于修改，Flash ROM也常用于数码相机和U盘中，因其具有低功耗、高密度等特点，且没有机电移动装置，特别适合于便携式设备。
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