超纯金属的检测方法极为困难。痕量元素的化学分析系指一克样品中含有微克级（10克/克）、毫微克级（10克/克）、微微克级（10克/克）杂质的确定。常用的手段有中子和带电粒子活化分析，原子吸收光谱分析，荧光分光光度分析，质谱分析，化学光谱分析及气体分析等。在单晶体高纯材料中，晶体缺陷对材料性能起显著影响，称为物理杂质，主要依靠在晶体生长过程中控制单晶平稳均匀的生长来减少晶体缺陷。
在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，香槟金靶材制造，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。
绑定的适用范围
技术上来说表面平整可进行金属化处理的靶材都可以用我司铟焊绑定技术绑定铜背靶来提高溅射过程的散热性、提高靶材利用率。
建议绑定的靶材：
ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；
锡、铟等软金属靶；
靶材太薄、靶材太贵的情况等。
但下列情况绑定有弊端：
1.熔点低的靶材，香槟金靶材，像铟、硒等，金属化的时候可能会变软变形；
2.贵金属靶材，香槟金靶材技术，一是实际重量易出现分歧，二是金属化以及解绑的时候都会有浪费料，建议垫一片铜片。
香槟金靶材-沈阳东创【环保节能】-香槟金靶材制造由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。行路致远，砥砺前行。沈阳东创贵金属材料有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为冶炼加工具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!
