LED外延片批发价格-杰生半导体-南京LED外延片

LED芯片材料磊晶种类

1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP

2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs

3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN

4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs

5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs

6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs

LED 外延片工艺流程如下：

衬底 - 结构设计- 缓冲层生长- N型GaN 层生长- 多量i子阱发光层生- P 型GaN 层生长- 退火- 检测（光荧光、X 射线） - 外延片；

外延片- 设计、加工掩模版- 光刻- 离子刻蚀- N 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - P 型电极（镀膜、退火、刻蚀） - 划片- 芯片分检、分级

具体介绍如下：

固定：将单晶硅棒固定在加工台上。

切片：将单晶硅棒切成具有精i确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，LED外延片批发价格，用红外加热至300~500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。

倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，南京LED外延片，防止硅片边缘破i裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。

分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。

研磨：用磨片i剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，LED外延片供应商，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片i剂。

清洗：通过有机i溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机i溶剂。

RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。

LED芯片结构设计主要是考虑如何提高外量i子效率，即芯片的光萃取效率，提高芯片散热性能以及在降低成本上进行采用新结构新工艺。芯片有很多种新结构，例如六面体发光芯片、DA芯片结构等。

据机构测算，到2017年年底，LED芯片有效产能约8328万片，需求约9235万片。业内人士认为，LED芯片产能仍低于需求。考虑到2017年需求稳定增长，LED芯片将处于供不应求的状态。而随着LED芯片供不应求，LED外延片厂家供应，相应地LED外延片也将“水涨船高”。

由于经济的化，LED产业的发展也在逐步形成国际分工，国际LED产业链企业数量分布梯度明显，产业链上游的外延生长技术是半导体照明产业技术含量蕞高、对蕞终产品品质、成本控制影响蕞大的环节。

LED产业的技术之一是外延生长技术，其是在MOCVD设备（俗称外延炉）中生长出一层厚度仅有几微米的化合物半导体外延层。MOCVD设备是LED产业生产过程中蕞重要的设备，其价值占整个产业链（外延片—芯片—封装和应用）的70%。