测井175度存储器
合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，可擦除存储器，如有需要的客户，欢迎来电。
高温210度存储器
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FLASH存储器的基本单元电路，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，210度原装可擦除存储器参数，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。擦除方法是在源极加正电压利用一级浮空栅与源极之间的隧道效应，把注入至浮空栅的负电荷吸引到源极。由于利用源极加正电压擦除，因此各单元的源极联在一起，这样，快擦存储器不能按字节擦除，150度原装可擦除存储器参数，而是全片或分块擦除。
高温210度存储器
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存取时间（访问时间）TA：从存储器接收到读/写命令到信息被读出或写入完成所需的时间（决定于存储介质的物理特性和寻址部件的结构）。
例如：
ROM存取时间通常为几百ns；
RAM存取时间通常为几十ns到一百多ns；
双极性RAM存取时间通常为10～20ns。
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动态随机存储器（DRAM）
动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。
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