210度FLASH存储器
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擦除远存储内容的方法可以采用以下方法：电的方法（称电可改写ROM）或用紫外线照射的方法（称光可改写ROM）。光可改写ROM可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。
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随着技术的不断进步，EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，电可擦除可编程只读存储器）来了，解决了ROM过去历史中存在一些问题。
早期的EEPROM: 早期的EEPROM的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1，现在基本以字节为单位了。
早期的EEPROM具有较高的可靠性，可编程存储器，但是电路更复杂，其成本也更高，因此EEPROM的容量都很小，200度原装可编程存储器介绍，从几KB到几百KB不等。（有点类似前面说的因为工艺和制造成本的原因，RAM的容量也不大）。 如今的EEPROM支持连续多字节读写操作了，算是已经发展到很厉害的水平了。
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EEPROM存储器应用
1.系统配置信息存储：EEPROM存储器可用于存储设备的配置信息和参数设置，如计算机BIOS设置。
2.数据备份与恢复：在数据存储设备中，EEPROM可作为数据备份，确保数据安全。
3.设备ID与序列号：EEPROM存储器可用于存储设备的标识符，如MAC地址、序列号等。
4.用户偏好设置：在消费电子产品中，EEPROM可用于存储用户的个性化设置，如音量、亮度等。
5.工业控制系统：在工业控制系统中，EEPROM可用于存储控制参数和历史数据，便于故障诊断和分析。
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