合肥启尔特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高温存储器 ，适用于石油测井勘探领域。存储器能做高温的厂家不多，150度常用的是25LC256系列，随机存储器，175度FLash存储器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存储器，容量较小，如有需要的客户，欢迎来电。
不可重写只读存储器，也可分为两类，包括掩模只读存储器（MROM）和可编程只读存储器（PROM）。
1、掩模只读存储器（MROM）
掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产商利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，150度原装随机存储器公司，适宜大批量生产。
MROM又可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。
2、可编程只读存储器（PROM）
可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），210度进口随机存储器公司，是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。
PROM的缺点是用户只能写入一次数据，写入后就不能再修改。
150度测井存储器
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EEPROM和闪存的写入时间显着增加了MCU的能耗，因为它们使MCU的活动时间更长。如果在写入EEPROM和闪存完成时MCU处于睡眠模式，则可以降低能耗。但是，EEPROM或闪存消耗的能量代表了系统的大部分能耗，因此使MCU处于睡眠模式不会对总体能耗产生重大影响。很明显，通过功率门控的快速写入，非易失性存储器可以实现低的能耗。
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存储器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片厂商或用户分配，给存储器分配地址的过程称为存储器映射，如果再分配一个地址就叫重映射存储器映射ARM 将这 4GB 的存储器空间，平均分成了 8 块区域， 每块区域的大小是 512MB（1）Block0 内部区域功能划分Block0 主要用于设计片内的 FLASH，0x0000 0000-0x0007FFFF：取决于 BOOT 引脚，为 FLASH、系统存储器、 SRAM 的别名。0x08000000-0x0807FFFF：片内 FLASH，我们编写.
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